г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 35A 200W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module
Цена
21 458 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
2156-BSM25GD120DN2E3224BOSA1-448,SP000100361,BSM25GD120DN2E3224
Three Phase Inverter
200 W
1200 V
35 A
Standard
-
3V @ 15V, 25A
No
800 µA
BSM25GD120
Chassis Mount
10
Tray
Discontinued at Digi-Key
150°C (TJ)
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1.65 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: OF-MSP-35-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 35 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: TIP2955
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 100V 15A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: MJ11032
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 50 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: CLF1G0060S-10
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF PFET, 1-ELEMENT, C BAND, GALL, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 50 mA 6GHz 16dB 10W SOT1227B
Подробнее
Артикул: MHT1006NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W, RF Mosfet LDMOS 28 V 90 mA 2.17GHz 21.7dB 1.26W PLD-1.5W
Подробнее
Артикул: 1SMB5916BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 4.3V 3W SMB, Zener Diode 4.3 V 3 W ±5% Surface Mount SMB
Подробнее