г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 35A 200W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module
Цена
21 458 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
2156-BSM25GD120DN2E3224BOSA1-448,SP000100361,BSM25GD120DN2E3224
Three Phase Inverter
200 W
1200 V
35 A
Standard
-
3V @ 15V, 25A
No
800 µA
BSM25GD120
Chassis Mount
10
Tray
Discontinued at Digi-Key
150°C (TJ)
Module
Module
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1.65 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NTR2101PT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 8V SOT23-3, P-Channel 8 V 3.7A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MRF282ZR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 2GHZ NI-200Z, RF Mosfet LDMOS 26 V 75 mA 2GHz 11.5dB 10W NI-200Z
Подробнее
Артикул: MCL-50-AN
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 50 MM ANO ALUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: SI4532DY
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FQPF4N80
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F, N-Channel 800 V 2.2A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: BZX84-C3V6,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 3.6V 250MW TO236AB, Zener Diode 3.6 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23
Подробнее