г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GB170DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1700V 72A 500W, IGBT Module - Half Bridge 1700 V 72 A 500 W Chassis Mount Module
Цена
4 475 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
INFINFBSM50GB170DN2HOSA1,SP000100463,2156-BSM50GB170DN2HOSA1
Half Bridge
500 W
1700 V
72 A
Standard
-
3.9V @ 15V, 50A
No
Chassis Mount
10
Tray
Obsolete
150°C (TJ)
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: RB550SS-30T2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 1608, Diode Schottky 30 V 500mA Surface Mount KMD2
Подробнее
Артикул: AO4828L
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V - 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 1140-6-AL-6
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERGOLD IRIDITE1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.250" (31.75mm) 1 1/4" Gold
Подробнее
Артикул: 2960CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .578,L= 1.00,W= .029,
Подробнее
Артикул: MJE18002G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 450V 2A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 2 A 13MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N2896
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 1 A 120MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее