г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
*
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2156-BSM50GD120DN2BOSA1-448
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BB-32620
Бренд: Bud Industries
Описание: BREADBOARD TERM STRIP 3.40X3.20", Solderless Breadboard Terminal Strip (No Frame) 3.40" x 3.20" (86.4mm x 81.3mm)
Подробнее
Артикул: 1289-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: SI7852ADP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8, N-Channel 80 V 30A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: 1549-B-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/16, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: VS-80APS12PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC, Diode Standard 1200 V 80A Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FQP44N10
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 1, N-Channel 100 V 43.5A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее