г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2G Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 78A 400W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 78 A 400 W Chassis Mount Module
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
-
Full Bridge
400 W
1200 V
78 A
Standard
-
3.7V @ 15V, 50A
No
BSM50GD120DN2GBOSA1,SP000100363
Chassis Mount
10
Bulk
Obsolete
150°C (TJ)
Module
Module
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
33 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BF244B
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 30V 50MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 100MHz - - TO-92-3
Подробнее
Артикул: IRFPG30
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3, N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1287-10-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: 1548-D-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS3/16, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: 2N1724A
Бренд: Microchip Technology
Описание: POWER BJT, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 5 A - 3 W Stud Mount TO-61
Подробнее
Артикул: MUN2216T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее