BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул

BSM75GB120DN2HOSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module

Цена

13 615 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули

Bulk

Active

Vendor Undefined

REACH Unaffected

2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STF12NK60Z

Бренд: STMicroelectronics

Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP, N-Channel 600 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP

Артикул: C3D02060A

Бренд: Wolfspeed

Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole TO-220-2

Артикул: MUR420

Бренд: onsemi

Описание: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD, Diode Standard 200 V 4A Through Hole Axial

Артикул: BSC340N08NS3GATMA1

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5, N-Channel 80 V 7A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Артикул: FERD30SM100DJFTR

Бренд: STMicroelectronics

Описание: DIODE RECT 100V 30A POWERFLAT, Diode FERD (Field Effect Rectifier Diode) 100 V 30A Surface Mount PowerFlat™ (5x6)

Артикул: DMP2021UFDF-7

Бренд: Diodes Incorporated

Описание: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN, P-Channel 20 V 9A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Похожие товары