BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул

BSM75GB120DN2HOSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module

Цена

13 615 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули

Bulk

Active

Vendor Undefined

REACH Unaffected

2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1276-12-N

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/8, Round Spacer Unthreaded - Nylon 2.000" (50.80mm) 2" -

Артикул: 2SA1186

Бренд: Sanken

Описание: TRANS PNP 150V 10A MT-100 TO-3P, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 10 A 60MHz 100 W Through Hole TO-3P

Артикул: 1527-A-2-AL

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN ALUMINUM, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.813" (20.65mm) 13/16" -

Артикул: 1170-10-N

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON5/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -

Артикул: 7054-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: SHOULDER SCREWPLAIN BRASS7/16HD, 1/4"-20 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Brass

Артикул: TSP10H200S S1G

Бренд: Taiwan Semiconductor

Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A, Diode Schottky 200 V 10A Surface Mount TO-277A (SMPC)

Похожие товары