г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
*
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Unaffected
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXTP10N60P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MM3Z6V2T1GX
Бренд: Nexperia
Описание: VOLTAGE REGULATOR DIODES, Zener Diode 6.2 V 300 mW ±5% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: CC080500000000000
Бренд: YAGEO
Описание: CAP KIT CER 10PF-0.68UF 480PCS, Ceramic Capacitor Kit 10pF ~ 0.68µF 16 ~ 50V Surface Mount, MLCC 480 Pieces (48 Values - 10 Each)
Подробнее
Артикул: JS12-5-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5/16" JAW COUPLING HUB,
Подробнее
Артикул: 2N3390
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 25V 500MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: SI4501BDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее