BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул

BSM75GB120DN2HOSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module

Цена

13 615 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули

Bulk

Active

Vendor Undefined

REACH Unaffected

2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FCF10A20

Бренд: KYOCERA AVX

Описание: DIODE FAST RECOVERY 200V 10A TO-, Diode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220 Full-Mold

Артикул: SMAZ20-13

Бренд: Diodes Incorporated

Описание: DIODE ZENER 20V 1W SMA, Zener Diode 20 V 1 W ±5% Surface Mount SMA

Артикул: 1399-8-S

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/8 HEX X 9, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.563" (14.30mm) 9/16" -

Артикул: IRFU4510PBF

Бренд: International Rectifier

Описание: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Артикул: 1201-10-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -

Артикул: GBPC3510W

Бренд: Diodes Incorporated

Описание: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole GBPC-W

Похожие товары