г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSO613SPVGHUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSO613SPVGHUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO, P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSO613SPVGHUMA1.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
2.5W (Ta)
P-Channel
60 V
3.44A (Ta)
130mOhm @ 3.44A, 10V
4V @ 1mA
30 nC @ 10 V
875 pF @ 25 V
-
10V
BSO613SPVGHUMA1CT,BSO613SPV GDKR,BSO613SPV GCT,BSO613SPV GCT-ND,BSO613SPV GDKR-ND,BSO613SPV GTR-ND,BSO613SPVGXT,BSO613SPVGHUMA1DKR,BSO613SPV G,BSO613SPVG,SP000216309,BSO613SPVGHUMA1TR,BSO613SPV G-ND,BSO613SPVGT
Surface Mount
SIPMOS®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
PG-DSO-8
3 (168 Hours)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
2,500
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MPSA14G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: FDMS8558S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN, N-Channel 25 V 33A (Ta), 90A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: KSP13BU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: STPS3045CG-TR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 15A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: 4414 /2MP
Бренд: Ebm-papst
Описание: AXIAL,
Подробнее
Артикул: 2N2222A
Бренд: Microchip Technology
Описание: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее