г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP149H6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP149H6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4, N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
246 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSP149H6327XTSA1.jpg
SP001058818,BSP149H6327XTSA1CT,BSP149H6327XTSA1DKR,BSP149H6327XTSA1TR
MOSFET (Metal Oxide)
1.8W (Ta)
N-Channel
200 V
660mA (Ta)
1.8Ohm @ 660mA, 10V
1V @ 400µA
14 nC @ 5 V
430 pF @ 25 V
Depletion Mode
0V, 10V
BSP149
Surface Mount
SIPMOS®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223-4
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5254B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 27 V 1W DO-35, Zener Diode 27 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 1465-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: FQP7N80C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3, N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: GBU402
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE BRIDGE 4A 100V GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: 1280-31-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: VS-8EWH06FN-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK, Diode Standard 600 V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее