г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP296NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSP296NH6327XTSA1.jpg
BSP296NH6327XTSA1TR,SP001059330,BSP296NH6327XTSA1CT,BSP296NH6327XTSA1-ND,BSP296NH6327XTSA1DKR
MOSFET (Metal Oxide)
1.8W (Ta)
N-Channel
100 V
1.2A (Ta)
600mOhm @ 1.2A, 10V
1.8V @ 100µA
6.7 nC @ 10 V
152.7 pF @ 25 V
-
4.5V, 10V
BSP296
Surface Mount
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-261-4, TO-261AA
PG-SOT223-4
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N2895
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 1 A 120MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: 1164-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.813" (20.65mm) 13/16" -
Подробнее
Артикул: 1SMA5931 R3G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 18V 1.5W DO214AC, Zener Diode 18 V 1.5 W ±5% Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: VS-52CPQ030-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO247AC, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 25A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MB151W
Бренд: Micro Commercial
Описание: BRIDGE RECT 1P 100V 15A MB-35W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole MB-35W
Подробнее
Артикул: 2SC5015-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343, RF Transistor NPN 6V 30mA 12GHz 150mW Surface Mount -
Подробнее