г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ0905PNSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ0905PNSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8, P-Channel 30 V 40A (Tc) 69W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8
Цена
312 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BSZ0905PNSATMA1.jpg
P-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
30 V
40A (Tc)
6V, 10V
8.6mOhm @ 20A, 10V
1.9V @ 105µA
43.2 nC @ 10 V
±25V
3190 pF @ 15 V
-
BSZ0905
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
OptiMOS™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
448-BSZ0905PNSATMA1TR,SP005399015,448-BSZ0905PNSATMA1CT,448-BSZ0905PNSATMA1DKR
5,000
69W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRGB4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1353-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: FCPF13N60NT
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220F, N-Channel 600 V 13A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: STTH1602CT
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N4148-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35, Diode Standard 75 V 300mA (DC) Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: CM300DX-24S1
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 1200V 300A 1850W, IGBT Module - Half Bridge 1200 V 300 A 1850 W Module
Подробнее