г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUL45D2 onsemi

Артикул
BUL45D2
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 400V 5A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 5 A 13MHz 75 W Through Hole TO-220
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
files/BUL45D2.jpg
BUL45D2OS
TO-220
NPN
5 A
400 V
500mV @ 400mA, 2A
100µA
10 @ 2A, 1V
75 W
13MHz
1 (Unlimited)
RoHS non-compliant
-
Tube
Obsolete
-65°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3
EAR99
8541.29.0095
50
BUL45
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MRFX1K80NR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L, RF Mosfet LDMOS 65 V 1.8MHz ~ 470MHz 24dB 1800W OM-1230-4L
Подробнее
Артикул: SDT15150P5-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHTKY 150V 15A POWERDI5, Diode Schottky 150 V 15A Surface Mount PowerDI™ 5
Подробнее
Артикул: DDTC143ZCA-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IM818MCCXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 16A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 1.2 kV 16 A 24-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: RHRP30100
Бренд: Harris
Описание: 30A, 1000V HYPERFAST DIODE, Diode Avalanche 1000 V 30A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: MCR22-6G
Бренд: onsemi
Описание: SCR 400V 1.5A TO92-3, SCR 400 V 1.5 A Sensitive Gate Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее