г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUP213 Infineon Technologies

Артикул
BUP213
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/BUP213.jpg
BUP213IN
600V, 15A, 82Ohm, 15V
200 W
Standard
1200 V
32 A
-
64 A
3.2V @ 15V, 15A
-
Through Hole
50
8541.29.0095
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
70ns/400ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZT52C3V0S-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 3V 200MW SOD323, Zener Diode 3 V 200 mW ±7% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: VVZB120-12IO1
Бренд: IXYS
Описание: RECT BRIDGE 3PH 120V 1200V V2, SCR Module 1.2 kV Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode Chassis Mount V2-PAK
Подробнее
Артикул: ER1604CT_T0_00001
Бренд: Panjit International
Описание: TO-220AB, SUPER, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 16A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1314-0-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: CSD88537ND
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IHW20N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее