г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUP213 Infineon Technologies

Артикул
BUP213
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/BUP213.jpg
BUP213IN
600V, 15A, 82Ohm, 15V
200 W
Standard
1200 V
32 A
-
64 A
3.2V @ 15V, 15A
-
Through Hole
50
8541.29.0095
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
70ns/400ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: GUO40-12NO1
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A GUFP, Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.2 kV Through Hole GUFP
Подробнее
Артикул: 1166-4-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: 2N5672
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 30 A - 6 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: D45VH10
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 15A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 15 A 50MHz 83 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRFR9014TRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK, P-Channel 60 V 5.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: 2N3820
Бренд: Central Semiconductor
Описание: JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92, JFET P-Channel 20 V 360 mW Through Hole TO-92
Подробнее