г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUZ31HXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
BUZ31HXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
115 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/BUZ31HXKSA1.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
95W (Tc)
N-Channel
200 V
14.5A (Tc)
200mOhm @ 9A, 5V
4V @ 1mA
1120 pF @ 25 V
-
5V
SP000682992,BUZ31H,2156-BUZ31HXKSA1-IT,INFINFBUZ31HXKSA1,BUZ31 H-ND,BUZ31 H
Through Hole
500
SIPMOS®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
PG-TO220-3
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF640FP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP, N-Channel 200 V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: IRF7353D1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSB014N04 - TRENCH <= 40V, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: HGTP7N60B3D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 14A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 60 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SI3443DV
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6, P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: 1N3595TR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35, Diode Standard 150 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее