г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BYM10-100-E3/96 VISHAY

Артикул
BYM10-100-E3/96
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB, Diode Standard 100 V 1A Surface Mount DO-213AB
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/BYM10-100-E396.jpg
1,500
Surface Mount
Standard
100 V
1A
1.1 V @ 1 A
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
10 µA @ 100 V
8pF @ 4V, 1MHz
BYM10100E396,BYM10-100-E3/96GICT,BYM10-100-E3/96GIDKR,BYM10-100-E3/96-ND,BYM10-100-E3/96GITR
8541.10.0080
EAR99
SUPERECTIFIER®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
DO-213AB, MELF (Glass)
DO-213AB
BYM10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC817-40,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT23,
Подробнее
Артикул: BC848CLT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 100MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MJW1302AG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 230V 15A TO247, Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: APTMC120AM20CT1AG
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1, Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 143A (Tc) 600W Chassis Mount SP1
Подробнее
Артикул: A2G35S200-01SR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, RF Mosfet GaN HEMT 48 V 291 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 16.1dB 180W NI-400S-2S
Подробнее
Артикул: T0054443799
Бренд: Apex
Описание:

TIP REPLACEMENT 0.8MM FOR WS,

Подробнее