г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BYM10-1000-E3/96 VISHAY

Артикул
BYM10-1000-E3/96
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount DO-213AB
Цена
74 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/BYM10-1000-E396.jpg
1,500
Surface Mount
Standard
1000 V
1A
1.2 V @ 1 A
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
10 µA @ 1000 V
8pF @ 4V, 1MHz
BYM10-1000-E3/96-ND,BYM101000E396,BYM10-1000-E3/96GITR,BYM10-1000-E3/96GIDKR,BYM10-1000-E3/96GICT
8541.10.0080
EAR99
SUPERECTIFIER®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
DO-213AB, MELF (Glass)
DO-213AB
BYM10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
-65°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2SA2169-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 50V 10A TP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 10 A 130MHz 950 mW Through Hole TP
Подробнее
Артикул: MS3456W20-22S
Бренд: Conesys
Описание: MS3456W20-22S,
Подробнее
Артикул: FESF16JT-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC, Diode Standard 600 V 16A Through Hole ITO-220AC
Подробнее
Артикул: NTE2339
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 800V 3A TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 30 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BSC074N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: BF493S
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 350V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее