г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BYW29-200 STMicroelectronics

Артикул
BYW29-200
Бренд
STMicroelectronics
Описание
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Diode Standard 200 V 8A Through Hole TO-220AC
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/BYW29-200.jpg
BYW29
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard
200 V
8A
1.15 V @ 10 A
10 µA @ 200 V
-
150°C (Max)
REACH Unaffected
1,000
8541.10.0080
-
Tube
Obsolete
Through Hole
TO-220-2
TO-220AC
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
35 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NE85630-A
Бренд: CEL
Описание: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323, RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 150mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: SI4403CDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO, P-Channel 20 V 13.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 2852CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .468,L= 2.00,W= .064,
Подробнее
Артикул: IXGH30N60B2D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 70A 190W TO247AD, IGBT PT 600 V 70 A 190 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF9630
Бренд: Harris
Описание: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB, P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее