г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BYW51-200 STMicroelectronics

Артикул
BYW51-200
Бренд
STMicroelectronics
Описание
DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 10A Through Hole TO-220-3
Цена
303 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
files/BYW51-200.jpg
497-2693-5,497-2693-5-NDR
BYW51
Fast Recovery = 200mA (Io)
Standard
200 V
850 mV @ 8 A
15 µA @ 200 V
150°C (Max)
1 Pair Common Cathode
10A
REACH Unaffected
50
-
Tube
Obsolete
Through Hole
TO-220-3
TO-220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.10.0080
35 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MTM763250LBF
Бренд: Panasonic
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD, Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.7A, 1A 700mW Surface Mount WSMini6-F1-B
Подробнее
Артикул: 1301-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: FP35R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 54A 215W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 54 A 215 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SD56120
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 65V 860MHZ M246, RF Mosfet LDMOS 28 V 400 mA 860MHz 16dB 100W M246
Подробнее
Артикул: UNR921NJ0L
Бренд: Panasonic
Описание: TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 125 mW Surface Mount SSMini3-F1
Подробнее
Артикул: SBR30100CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SBR 100V 15A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 100 V 15A Through Hole TO-220-3
Подробнее