г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BZX55C4V3-TR VISHAY

Артикул
BZX55C4V3-TR
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35, Zener Diode 4.3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
files/BZX55C4V3-TR.jpg
EAR99
8541.10.0050
BZX55C4V3-TR-ND,BZX55C4V3-TRGICT,BZX55C4V3-TRGITR
10,000
Through Hole
1.5 V @ 200 mA
1 µA @ 1 V
500 mW
4.3 V
REACH Unaffected
1 (Unlimited)
Automotive, AEC-Q101, BZX55
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Active
±5%
-65°C ~ 175°C
DO-204AH, DO-35, Axial
DO-35 (DO-204AH)
BZX55C4V3
ROHS3 Compliant
75 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6676
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FDMC8296
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP, N-Channel 30 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: FDS4685
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC, P-Channel 40 V 8.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IXXH110N65C4
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 650V 234A 880W TO247AD, IGBT PT 650 V 234 A 880 W Through Hole TO-247 (IXXH)
Подробнее
Артикул: ES1DL R3G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount Sub SMA
Подробнее
Артикул: STF6N95K5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP, N-Channel 950 V 9A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее