г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

C4D10120E Wolfspeed

Артикул
C4D10120E
Бренд
Wolfspeed
Описание
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 33A (DC) Surface Mount TO-252-2
Цена
2 036 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/C4D10120E.jpg
Warning Information
No Recovery Time > 500mA (Io)
Silicon Carbide Schottky
1200 V
33A (DC)
1.8 V @ 10 A
0 ns
250 µA @ 1200 V
754pF @ 0V, 1MHz
C4D10120
75
Z-Rec®
Tube
Active
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-2
RoHS Compliant
EAR99
8541.10.0080
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1486-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: 1120-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/1, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: BLM10D3438-35ABZ
Бренд: Ampleon
Описание: BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP, RF Mosfet LDMOS 26 V 41 mA 3.4GHz ~ 3.8GHz 33dB - 20-PQFN (8x8)
Подробнее
Артикул: MRFE6S9130HSR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 880MHZ NI-780S, RF Mosfet LDMOS 28 V 950 mA 880MHz 19.2dB 27W NI-780S
Подробнее
Артикул: 1N4001
Бренд: Rectron
Описание: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO-41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MWI100-12A8
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 160A 640W E3, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 160 A 640 W Chassis Mount E3
Подробнее