г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

CE3512K2 CEL

Артикул
CE3512K2
Бренд
CEL
Описание
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX, RF Mosfet pHEMT FET 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X
Цена
239 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
files/CE3512K2.jpg
200
CE3512
10 mA
4 V
pHEMT FET
12GHz
13.7dB
2 V
0.5dB
8542.39.0001
EAR99
-
Strip
Active
15mA
4-Micro-X
4-Micro-X
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
125mW

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NTE160
Бренд: NTE Electronics
Описание: RF TRANS PNP 20V 700MHZ TO72, RF Transistor PNP 20V 10mA 700MHz 60mW Through Hole TO-72
Подробнее
Артикул: MJD45H11T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: VS-10BQ060TRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: IRG4PH20KDPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRG4PH20 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 2N6377
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1900-Y
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB SERRATED 0.125" PHENOLIC, Serrated Knob 0.125" (3.18mm) Shaft with Line on Top Phenolic Black
Подробнее