г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

CSD19532KTT Texas Instruments

Артикул
CSD19532KTT
Бренд
Texas Instruments
Описание
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK, N-Channel 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Цена
301 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/CSD19532KTT.jpg
DDPAK/TO-263-3
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
100 V
200A (Ta)
6V, 10V
5.6mOhm @ 90A, 10V
3.2V @ 250µA
±20V
5060 pF @ 50 V
-
250W (Tc)
TO-263-4, D?Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
296-CSD19532KTTTR,296-44970-1-ND,296-44970-2-ND,CSD19532KTT-ND,296-CSD19532KTTCT,296-44970-6,296-44970-1,296-44970-2
NexFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
CSD19532
ROHS3 Compliant
2 (1 Year)
EAR99
8541.29.0095
500
REACH Affected
57 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BTS140A
Бренд: Essentra Components
Описание: HEX STANDOFF #6-32 BRASS 1-1/4", Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее
Артикул: 2N5684
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS PNP 80V 50A TO3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 50 A 2MHz 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: MJE340
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 300V 500MA TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: FMMT593TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 100V 1A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 1 A 50MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1113-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACER NYLON 1/2", Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: 2N6394
Бренд: onsemi
Описание: SCR 50V 12A TO220AB, SCR 50 V 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220AB
Подробнее