г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

CSD86330Q3D Texas Instruments

Артикул
CSD86330Q3D
Бренд
Texas Instruments
Описание
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Цена
400 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/CSD86330Q3D.jpg
296-28216-2,TEXTISCSD86330Q3D,296-28216-6,-296-28216-1-ND,-CSD86330Q3D-NDR,2156-CSD86330Q3D,296-28216-1
2,500
2 N-Channel (Half Bridge)
25V
20A
9.6mOhm @ 14A, 8V
2.1V @ 250µA
6.2nC @ 4.5V
920pF @ 12.5V
Logic Level Gate
8541.29.0095
EAR99
REACH Affected
NexFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-PowerLDFN
8-LSON (3.3x3.3)
CSD86330Q3
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
6W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5250B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 20V 500MW DO35, Zener Diode 20 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IPD35N10S3L-26
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU,
Подробнее
Артикул: BD243C
Бренд: onsemi
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 6A, 10, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2837-H
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB 4 ARM 3/8"-16 PLASTIC, 4 Arm Knob 3/8"-16 Shaft with No Indicator Plastic Black
Подробнее
Артикул: RG 10A
Бренд: Sanken
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole -
Подробнее
Артикул: STGW30M65DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE, IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 258 W Through Hole TO-247-3
Подробнее