г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DDTC114EUA-7 Diodes Incorporated

Артикул
DDTC114EUA-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
71 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/DDTC114EUA-7.jpg
3,000
DDTC114EUADITR,1034-DDTC114EUA-7CT,DDTC114EUADICT-ND,1034-DDTC114EUA-7TR,DDTC114EUADITR-ND,1034-DDTC114EUA-7DKR,31-DDTC114EUA-7TR,DDTC114EUA7,DDTC114EUADICT
8541.21.0075
EAR99
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
Active
Cut Tape (CT)
*
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CSD19536KCS
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3, N-Channel 100 V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FS10R06VE3B2BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 600V 16A 50W, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 16 A 50 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 1N4508
Бренд: Microchip Technology
Описание: STANDARD RECTIFIER, Diode
Подробнее
Артикул: SPB-29-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-13/16" STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: IKQ120N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 160A TO247-3-46, IGBT Trench Field Stop 600 V 160 A 833 W Through Hole PG-TO247-3-46
Подробнее
Артикул: BAS2103WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323, Diode Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее