г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
DF200R12KE3HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Цена
22 277 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/DF200R12KE3HOSA1.jpg
DF200R12
DF200R12KE3,SP000100741,DF200R12KE3-ND
Single
1040 W
1200 V
Standard
-
2.15V @ 15V, 200A
No
5 mA
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 125°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
14 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5255B
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: BC32825
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS PNP 25V 800MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MRA4003T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 300V 1A SMA, Diode Standard 300 V 1A Surface Mount SMA
Подробнее
Артикул: SB140-B
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MSS20-046-0805
Бренд: MACOM
Описание: SCHOTTKY DIODE,CHIP-PACKAGE, 080, RF Diode Schottky - Single 1V 35 mA 100 mW 0805-2
Подробнее
Артикул: BU323ZG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 350V 10A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A 2MHz 150 W Through Hole TO-247-3
Подробнее