г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
DF200R12KE3HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Цена
22 277 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/DF200R12KE3HOSA1.jpg
DF200R12
DF200R12KE3,SP000100741,DF200R12KE3-ND
Single
1040 W
1200 V
Standard
-
2.15V @ 15V, 200A
No
5 mA
Chassis Mount
10
-
Bulk
Active
-40°C ~ 125°C
Module
Module
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
14 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STW10NK80Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3, N-Channel 800 V 9A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 50RIA120
Бренд: Solid State
Описание: SCR THYRISTOR 50 AMP TO 65, SCR 1.2 kV 80 A Standard Recovery Stud Mount TO-208AC (TO-65)
Подробнее
Артикул: R34120
Бренд: Microchip Technology
Описание: RECTIFIER, Diode
Подробнее
Артикул: 1347-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: S1941-42R
Бренд: Harwin
Описание: RFI SHIELD FINGER GOLD SMD,
Подробнее
Артикул: TIP122
Бренд: onsemi
Описание: TIP122 - 5.0 A, 100 V NPN DARLIN, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее