г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated

Артикул
DMN10H170SFG-13
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333, N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Цена
105 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/DMN10H170SFG-13.jpg
PowerDI3333-8
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
-
100 V
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
122mOhm @ 3.3A, 10V
3V @ 250µA
14.9 nC @ 10 V
870.7 pF @ 25 V
4.5V, 10V
±20V
8-PowerVDFN
DMN10H170SFG-13DKR-ND,DMN10H170SFG-13CT-ND,DMN10H170SFG-13DICT,DMN10H170SFG-13DITR,DMN10H170SFG-13TR-ND,DMN10H170SFG-13CT,DMN10H170SFG-13DKR,DMN10H170SFG-13TR,DMN10H170SFG-13DIDKR
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
DMN10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.21.0095
3,000
-55°C ~ 150°C (TJ)
940mW (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDP5690
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3, N-Channel 60 V 32A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: CSD87352Q5D
Бренд: Texas Instruments
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A 8.5W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Подробнее
Артикул: CL-15-ST
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 15/16 STAINLESS SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: C6D06065E
Бренд: Wolfspeed
Описание: GEN 6 650V 6 A SBD, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 23A (DC) Surface Mount TO-252-2
Подробнее
Артикул: UF4005
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: FQB7P20TM-F085
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK, P-Channel 200 V 7.3A (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее