г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DRDPB16W-7 Diodes Incorporated

Артикул
DRDPB16W-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
Цена
40 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
files/DRDPB16W-7.jpg
SOT-363
200 mW
PNP - Pre-Biased + Diode
600 mA
50 V
1 kOhms
10 kOhms
56 @ 50mA, 5V
300mV @ 2.5mA, 50mA
500nA
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DRDPB16WDIDKR,DRDPB16WDICT,DRDPB16WDITR,DRDPB16W7
3,000
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
Surface Mount
DRDPB16
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.21.0075
200 MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FSB50450TB
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: AC MOTOR CONTROLLER, 3A, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 500 V 1.5 A 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm)
Подробнее
Артикул: MBRB20100CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: PN2222A
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 270MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MJH11020G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 200V 15A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 200 V 15 A 3MHz 150 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BSC0500NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: AOTF2210L
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 200V 6.5A/13A TO220, N-Channel 200 V 6.5A (Ta), 13A (Tc) 8.3W (Ta), 36.5W (Tc) Through Hole TO-220F

Подробнее