г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

EGP10C onsemi

Артикул
EGP10C
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 150V 1A DO204AL, Diode Standard 150 V 1A Through Hole DO-41
Цена
24 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/EGP10C.jpg
DO-41
REACH Unaffected
5 µA @ 150 V
950 mV @ 1 A
Standard
150 V
Fast Recovery = 200mA (Io)
50 ns
-65°C ~ 150°C
1A
2156-EGP10C-OS,EGP10C-ND,EGP10CDKR-ND,EGP10CTR,EGP10CDKR,ONSFSCEGP10C,EGP10CCT,EGP10CDKRINACTIVE
Not Applicable
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Active
Through Hole
DO-204AL, DO-41, Axial
EAR99
8541.10.0080
5,000
EGP10
ROHS3 Compliant
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: EPC2100
Бренд: EPC
Описание: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) - Surface Mount Die
Подробнее
Артикул: IRFR5505TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK, P-Channel 55 V 18A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7811AVTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: 2SC24050RL
Бренд: Panasonic
Описание: TRANS NPN 35V 0.05A MINI-3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN 35 V 50 mA 200MHz 200 mW Surface Mount Mini3-G1
Подробнее
Артикул: 2N4923
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 80V 1A SOT-32, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole -
Подробнее
Артикул: RP3007
Бренд: Global Industrial
Описание: REPLACEMENT HARDWAREFOR46"IN-GRO,
Подробнее