г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

EMB10T2R Rohm Semiconductor

Артикул
EMB10T2R
Бренд
Rohm Semiconductor
Описание
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Цена
17 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
files/EMB10T2R.jpg
Surface Mount
150mW
50V
100mA
500nA
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
300mV @ 250µA, 5mA
80 @ 10mA, 5V
250MHz
2.2kOhms
8,000
EMB10T2RDKR,EMB10T2RTR,EMB10T2R-ND,EMB10T2RCT
8541.21.0095
-
Tape & Reel (TR)
Active
SOT-563, SOT-666
EMT6
EMB10
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
47kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1361-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: 1365-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: AUIRFP4004
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC, N-Channel 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPA95R1K2P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO220, N-Channel 950 V 6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRG4RC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W DPAK, IGBT - 600 V 14 A 38 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: ISL9V2040D3S
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 430V 10A 130W TO252AA, IGBT - 430 V 10 A 130 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее