г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

EPC2015 EPC

Артикул
EPC2015
Бренд
EPC
Описание
GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE, N-Channel 40 V 33A (Ta) - Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Цена
276 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/EPC2015.jpg
GaNFET (Gallium Nitride)
-
N-Channel
40 V
33A (Ta)
4mOhm @ 33A, 5V
2.5V @ 9mA
11.6 nC @ 5 V
1200 pF @ 20 V
-
5V
917-1019-6,917-1019-1,-917-1019-1,917-1019-2,-917-1019-2
Surface Mount
500
eGaN®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Discontinued at Digi-Key
-40°C ~ 150°C (TJ)
Die
Die Outline (11-Solder Bar)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0040
+6V, -5V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NE4210S01-T1B
Бренд: CEL
Описание: HJ-FET 13DB S01, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Подробнее
Артикул: HUF76639S3S
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK, N-Channel 100 V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 1N5811US
Бренд: Semtech
Описание: DIODE GEN PURP 150V 6A, Diode Standard 150 V 6A Surface Mount -
Подробнее
Артикул: IPP029N06NAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3, N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BAS20LT1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SWITCH 200MA 200V SOT23, Diode
Подробнее
Артикул: SARS10
Бренд: Sanken
Описание: DIODE GEN PURP 800V 300MA TO220, Diode Standard 800 V 300mA Through Hole TO-220F-2L
Подробнее