г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

EPC2016C EPC

Артикул
EPC2016C
Бренд
EPC
Описание
GANFET N-CH 100V 18A DIE, N-Channel 100 V 18A (Ta) - Surface Mount Die
Цена
420 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/EPC2016C.jpg
917-1080-1,917-1080-2,917-1080-6
GaNFET (Gallium Nitride)
-
N-Channel
100 V
18A (Ta)
16mOhm @ 11A, 5V
2.5V @ 3mA
4.5 nC @ 5 V
420 pF @ 50 V
-
5V
EPC2016
Surface Mount
eGaN®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-40°C ~ 150°C (TJ)
Die
Die
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0040
2,500
+6V, -4V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPN70R2K0P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223, N-Channel 700 V 3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: BS-2500
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее
Артикул: 0816-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS5/32HD X, #3-48 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 2SA1627-T-AZ
Бренд: Renesas
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFP4710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC, N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 2N2897
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1 A 100MHz 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее