г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

EPC2019 EPC

Артикул
EPC2019
Бренд
EPC
Описание
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE, N-Channel 200 V 8.5A (Ta) - Surface Mount Die
Цена
632 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/EPC2019.jpg
GaNFET (Gallium Nitride)
-
N-Channel
-
200 V
8.5A (Ta)
50mOhm @ 7A, 5V
2.5V @ 1.5mA
2.5 nC @ 5 V
270 pF @ 100 V
5V
Die
Die
REACH Unaffected
eGaN®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0040
917-1087-1,917-1087-2,917-1087-6
1,000
+6V, -4V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MSD42WT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 150MA SC70-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 150 mA - 150 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: BC847AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 100MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRFB8407
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MJ11016
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: IRF640NSPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FS35R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее