EPC2102ENGRT EPC

Артикул

EPC2102ENGRT

Бренд

EPC

Описание

GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) - Surface Mount Die

Цена

861 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы

files/EPC2102ENGRT.jpg

Surface Mount

917-EPC2102ENGRDKR,917-EPC2102ENGRTR,917-EPC2102ENGRCT

2 N-Channel (Half Bridge)

60V

23A (Tj)

4.4mOhm @ 20A, 5V

2.5V @ 7mA

6.8nC @ 5V

830pF @ 30V

500

8541.29.0040

eGaN®

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

Discontinued at Digi-Key

-40°C ~ 150°C (TJ)

Die

ROHS3 Compliant

1 (Unlimited)

REACH Unaffected

EAR99

GaNFET (Gallium Nitride)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DL4743A

Бренд: Rectron

Описание: DIODE ZENER 13V 1W LL-41, Zener Diode 13 V 1 W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)

Подробнее

Артикул: IRL1104PBF

Бренд: Infineon Technologies

Описание: MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB, N-Channel 40 V 104A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB

Подробнее

Артикул: BZX79C10-T50A

Бренд: onsemi

Описание: BZX79C10 - ZENER 10V 05W 5%, Zener Diode 10 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35

Подробнее

Артикул: FCH041N60E

Бренд: onsemi

Описание: MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3, N-Channel 600 V 77A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3

Подробнее

Артикул: IHW20N120R2

Бренд: Infineon Technologies

Описание: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 40 A 330 W Through Hole PG-TO247-3-1

Подробнее

Артикул: AOD418

Бренд: Alpha & Omega Semiconductor

Описание: MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252, N-Channel 30 V 13.5A (Ta), 36A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Подробнее

EPC2102ENGRT EPC

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята