г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

EPC2106 EPC

Артикул
EPC2106
Бренд
EPC
Описание
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A - Surface Mount Die
Цена
313 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/EPC2106.jpg
Surface Mount
917-1110-2,917-1110-1,917-1110-6
-
2 N-Channel (Half Bridge)
100V
1.7A
70mOhm @ 2A, 5V
2.5V @ 600µA
0.73nC @ 5V
75pF @ 50V
2,500
8541.29.0040
eGaN®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-40°C ~ 150°C (TJ)
Die
Die
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
GaNFET (Gallium Nitride)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1110-4-B-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNICKEL 3/16 RD X 5/1, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: VS-VSKD196/16PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN 1.6KV 97.5A INTAPAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600 V 97.5A Chassis Mount INT-A-Pak
Подробнее
Артикул: BC550CTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: STGW15H120F2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 259 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK, P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRL3302
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB, N-Channel 20 V 39A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее