г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

EPC2215 EPC

Артикул
EPC2215
Бренд
EPC
Описание
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE, N-Channel 200 V 32A (Ta) - Surface Mount Die
Цена
1 054 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/EPC2215.jpg
GaNFET (Gallium Nitride)
-
N-Channel
-
200 V
32A (Ta)
8mOhm @ 20A, 5V
2.5V @ 6mA
17.7 nC @ 5 V
1790 pF @ 100 V
5V
Die
Die
REACH Unaffected
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
-40°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0040
Q14478962,917-1218-2,917-1218-1,917-1218-6
2,500
+6V, -4V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: E-1048-S602-DC24V-S426-2A
Бренд: E-T-A
Описание: CIR BRKR THRM 2A, Current Sensing DC 24VDC
Подробнее
Артикул: BSC123N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: 0318-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS3/4HD X, 5/16"-18 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: IXBF32N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4, IGBT - 3000 V 40 A 160 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: IPP220N25NFD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 61A TO220-3, N-Channel 250 V 61A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: HSMP-3832-BLKG
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE PIN 200V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 200V 1 A 250 mW SOT-23-3
Подробнее