г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ES1DL R3G Taiwan Semiconductor

Артикул
ES1DL R3G
Бренд
Taiwan Semiconductor
Описание
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount Sub SMA
Цена
119 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/ES1DL-R3G.jpg
DO-219AB
Sub SMA
Standard
200 V
1A
950 mV @ 1 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
5 µA @ 200 V
10pF @ 4V, 1MHz
-55°C ~ 150°C
ES1DLR3GTR,ES1DL R3GTR,ES1DLR3GDKR,ES1DLR3GCT,ES1DL R3GCT-ND,ES1DL R3GDKR,ES1DL R3GDKR-ND,ES1DL R3GTR-ND,ES1DL R3GCT
1,800
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
Surface Mount
ES1D
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.10.0080
35 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: KSE340S
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 300V 0.5A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA - 20 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: IRGP4066D-EPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRGP4066 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: TIP105
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRF7606TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8, P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IRFD120PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: 2004-1032-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND STANDOFFNO FINISH - NYLON5, Round Standoff Threaded #10-32 Nylon 8.000" (203.20mm) 8" -
Подробнее