г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ES2D-E3/52T VISHAY

Артикул
ES2D-E3/52T
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Diode Standard 200 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Цена
39 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/ES2D-E352T.jpg
750
Surface Mount
Standard
200 V
2A
900 mV @ 2 A
Fast Recovery = 200mA (Io)
30 ns
10 µA @ 200 V
18pF @ 4V, 1MHz
ES2DE352T,ES2D-E3/52TGITR,ES2D-E3/52TGICT
8541.10.0080
-
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Active
DO-214AA, SMB
DO-214AA (SMB)
ES2
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
-55°C ~ 150°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BF5030WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FET RF 8V 800MHZ SOT343, RF Mosfet N-Channel 3 V 10 mA 800MHz 24dB - SOT-343
Подробнее
Артикул: CAN-2015D
Бренд: ICP DAS
Описание: DEVICENET SLAVE I/O MODULE: 8 CH, Input Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: NTHL020N090SC1
Бренд: onsemi
Описание: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3, N-Channel 900 V 118A (Tc) 503W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 2SD1815T-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 100V 3A TP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 180MHz 1 W Through Hole TP
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1-EPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: MJE15032G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 8 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее