г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F3L15R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 20A 145W, IGBT Module - 3 Independent 1200 V 20 A 145 W Chassis Mount Module
Цена
11 519 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/F3L15R12W2H3B27BOMA1.jpg
F3L15R12W2H3_B27,F3L15R12W2H3_B27-ND,SP001055068,2156-F3L15R12W2H3B27BOMA1,INFINFF3L15R12W2H3B27BOMA1
3 Independent
145 W
1200 V
20 A
Standard
-
2.4V @ 15V, 15A
Yes
1 mA
F3L15R12
Chassis Mount
15
-
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
875 pF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0553-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL5/8HD X, 3/8"-16 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: TIP127
Бренд: Harris
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AT-7802A
Бренд: Panasonic
Описание: AT-7802A,
Подробнее
Артикул: 1N4764A TR
Бренд: Central Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 100V 1W DO41, Zener Diode 100 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: IRFPE50
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3, N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRG4PF50WDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее