г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F3L15R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
F3L15R12W2H3B27BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 20A 145W, IGBT Module - 3 Independent 1200 V 20 A 145 W Chassis Mount Module
Цена
11 519 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
files/F3L15R12W2H3B27BOMA1.jpg
F3L15R12W2H3_B27,F3L15R12W2H3_B27-ND,SP001055068,2156-F3L15R12W2H3B27BOMA1,INFINFF3L15R12W2H3B27BOMA1
3 Independent
145 W
1200 V
20 A
Standard
-
2.4V @ 15V, 15A
Yes
1 mA
F3L15R12
Chassis Mount
15
-
Bulk
Active
-40°C ~ 150°C
Module
Module
Not Applicable
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
875 pF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLR8103V
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK, N-Channel 30 V 91A (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BZX79C10-T50A
Бренд: onsemi
Описание: BZX79C10 - ZENER 10V 05W 5%, Zener Diode 10 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FQP44N10
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 1, N-Channel 100 V 43.5A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: STTH810FP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220FP, Diode Standard 1000 V 8A Through Hole TO-220FPAC
Подробнее
Артикул: TO-205-070
Бренд: Bivar
Описание: SPACER RECT GEN PURP 0.070", Component Spacer General Purpose - Axial, Radial Rectangular 0.070" (1.78mm) Natural
Подробнее
Артикул: 1N4935
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41, Diode Standard 200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее