F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул

F475R12KS4B11BOSA1

Бренд

Infineon Technologies

Описание

LOW POWER ECONO, IGBT Module

Цена

18 891 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули

Bulk

Active

Vendor Undefined

REACH Unaffected

2156-F475R12KS4B11BOSA1-448

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SIR870ADP-T1-GE3

Бренд: VISHAY

Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Артикул: LND150N8-G

Бренд: Microchip Technology

Описание: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3, N-Channel 500 V 30mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-89-3

Артикул: 1150-2-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -

Артикул: KBP208G

Бренд: Diodes Incorporated

Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBP

Артикул: TH-142

Бренд: Panasonic

Описание: COUNTER 6 CHAR 200V PANEL MT, Time Counter (Hour Meter) 200VAC Panel Mount

Артикул: BC547C

Бренд: onsemi

Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

Похожие товары