г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
18 891 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
*
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Unaffected
2156-F475R12KS4B11BOSA1-448
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SBL4040PT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO3P, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 40A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
Подробнее
Артикул: BC817-40-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 45V 500MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 0824-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL11/64HD, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: 0835-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL7/32HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: AOTF8N60
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 600V 8A TO220-3F, N-Channel 600 V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F

Подробнее
Артикул: STP20N20
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее