г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
18 891 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
*
Bulk
Active
Vendor Undefined
REACH Unaffected
2156-F475R12KS4B11BOSA1-448
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDMD8240LET40
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 24A 50W Surface Mount 12-Power3.3x5
Подробнее
Артикул: 6949-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: SHOULDER SCREWPLAIN STEEL3/8HD X, #10-32 Cheese Head Shoulder Screw Hex Drive Steel
Подробнее
Артикул: VS-GT140DA60U
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227, IGBT Module Trench Single 600 V 200 A 652 W Chassis Mount SOT-227
Подробнее
Артикул: TIP29A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 1A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRFS4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK, N-Channel 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRLB4030PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB, N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее