г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FCPF11N60NT onsemi

Артикул
FCPF11N60NT
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F, N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 32.1W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Цена
735 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FCPF11N60NT.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
600 V
10.8A (Tc)
10V
299mOhm @ 5.4A, 10V
4V @ 250µA
35.6 nC @ 10 V
±30V
1505 pF @ 100 V
-
32.1W (Tc)
N-Channel
TO-220F-3
Not Applicable
SuperMOS™
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
EAR99
8541.29.0095
1,000
FCPF11
ROHS3 Compliant
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FQPF13N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F, N-Channel 500 V 12.5A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: FQA46N15
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P, N-Channel 150 V 50A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: TIP32B
Бренд: Harris
Описание: PNP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: DTC124EKAT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 30 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее
Артикул: ECAT-2028
Бренд: ICP DAS
Описание: ETHERCAT SLAVE I/O MODULE WITH I, Input, Output (I/O) Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: NTE2533
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 800V 25A TO3PBL, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 25 A - 250 W Through Hole TO-3PBL
Подробнее