г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDA38N30 Fairchild Semiconductor

Артикул
FDA38N30
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 300 V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Цена
231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDA38N30.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
300 V
38A (Tc)
85mOhm @ 19A, 10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
N-Channel
312W (Tc)
TO-3PN
UniFET™
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-3P-3, SC-65-3
0000.00.0000
ONSFSCFDA38N30,2156-FDA38N30
1
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXFH10N100
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD, N-Channel 1000 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Подробнее
Артикул: STGW60H65DFB
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 650V 80A 375W TO-247, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 375 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: International Rectifier
Описание: AC MOTOR CONTROLLER, HYBRID, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: SPP12N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: CM100DU-12H
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 600V 100A 400W, IGBT Module - Half Bridge 600 V 100 A 400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: NDS9952A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее