г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDB050AN06A0 onsemi

Артикул
FDB050AN06A0
Бренд
onsemi
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
267 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDB050AN06A0.jpg
N-Channel
60 V
18A (Ta), 80A (Tc)
6V, 10V
5mOhm @ 80A, 10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
D?PAK (TO-263)
PowerTrench®
Bulk
Active
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
2156-FDB050AN06A0-488
1
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
245W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4PH30K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1N960B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: 1N5248B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 18 V 1W DO-35, Zener Diode 18 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRFP044N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC, N-Channel 55 V 53A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FQP1N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3, N-Channel 600 V 1.2A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FMMT717TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 12V 2.5A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 2.5 A 110MHz 625 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее