г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDB14N30TM onsemi

Артикул
FDB14N30TM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK, N-Channel 300 V 14A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
282 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDB14N30TM.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
300 V
14A (Tc)
10V
290mOhm @ 7A, 10V
5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±30V
1060 pF @ 25 V
-
140W (Tc)
D?PAK (TO-263)
FDB14N30TMTR,FDB14N30TMDKR,FDB14N30TMCT
UniFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
EAR99
8541.29.0095
800
FDB14N30
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJE243
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR NPN 4A 100V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 40MHz 15 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: FSAM75SM60A
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 75A S32DA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 75 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: PD57018TR-E
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANSISTOR RF POWERSO-10, RF Mosfet LDMOS 28 V 100 mA 945MHz 16.5dB 18W PowerSO-10RF (Formed Lead)
Подробнее
Артикул: 1432-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: HGTP3N60A4
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL IGBT, IGBT - 600 V 17 A 70 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDD6606
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK, N-Channel 30 V 75A (Ta) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее