г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDB52N20TM Fairchild Semiconductor

Артикул
FDB52N20TM
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Цена
196 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDB52N20TM.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
200 V
52A (Tc)
49mOhm @ 26A, 10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±30V
2900 pF @ 25 V
-
357W (Tc)
D2PAK (TO-263)
UniFET™
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
EAR99
8541.29.0095
FAIFSCFDB52N20TM,2156-FDB52N20TM
1
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IPP60R520C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: 1479-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: FQA9P25
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P, P-Channel 250 V 10.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: HGTP20N60A4
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 70A TO220-3, IGBT - 600 V 70 A 290 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1532-A-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: TIP120
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее