г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDD6035AL Fairchild Semiconductor

Артикул
FDD6035AL
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 30 V 12A (Ta), 46A (Tc) 1.5W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDD6035AL.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
30 V
12A (Ta), 46A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm @ 12A, 10V
3V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±20V
1230 pF @ 15 V
-
TO-252, (D-Pak)
1 (Unlimited)
REACH Affected
PowerTrench®
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ROHS3 Compliant
EAR99
8541.29.0095
2156-FDD6035AL,FAIFSCFDD6035AL
1
1.5W (Ta), 56W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRAMX16UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: STI33N60M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK, N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Подробнее
Артикул: 2STC5200
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 230V 15A TO-264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: MMIX4B20N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD, IGBT Array - Full Bridge 3000 V 34 A 150 W Surface Mount 24-SMPD
Подробнее
Артикул: 30CTQ045
Бренд: DComponents
Описание: SchottkyD, 45V, 30A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 15A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: 1543-A-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN STEEL1/4, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее