г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDD86110 onsemi

Артикул
FDD86110
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK, N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
498 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDD86110.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
100 V
12.5A (Ta), 50A (Tc)
6V, 10V
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2265 pF @ 50 V
-
3.1W (Ta), 127W (Tc)
TO-252AA
FDD86110CT,FDD86110TR,FDD86110-ND,ONSONSFDD86110,FDD86110DKR,2156-FDD86110-OS
PowerTrench®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
EAR99
8541.29.0095
2,500
FDD861
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRF5305SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: MMRF5014HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 125V 2.5GHZ NI360, RF Mosfet HEMT 50 V 350 mA 2.5GHz 18dB 125W NI-360H-2SB
Подробнее
Артикул: NTE2701
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SIL 100V 15A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TIP41C
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 100V 6A TO220-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1413-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: 1364-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM5/16 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.313" (7.94mm) -
Подробнее