г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDG6316P onsemi

Артикул
FDG6316P
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 700mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/FDG6316P.jpg
SC-88 (SC-70-6)
300mW
2 P-Channel (Dual)
12V
700mA
270mOhm @ 700mA, 4.5V
1.5V @ 250µA
2.4nC @ 4.5V
146pF @ 6V
Logic Level Gate
FDG6316P-ND,FDG6316PDKR,FDG6316PTR,FDG6316PCT
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
PowerTrench®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
EAR99
8541.21.0095
3,000
FDG6316
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FSBB10CH120D
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 1.2V 10A 27PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 10 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: IRF3205L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO262, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFB7437PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRFB7437 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: APTGT300DH60G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT MODULE 600V 430A 1150W SP6, IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600 V 430 A 1150 W Chassis Mount SP6
Подробнее
Артикул: IXBF32N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4, IGBT - 3000 V 40 A 160 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Подробнее
Артикул: 30CPQ040
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO247AC, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 15A Through Hole TO-247-3
Подробнее