г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDMD85100 onsemi

Артикул
FDMD85100
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET 2N-CH 100V, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 10.4A 2.2W Surface Mount Power56
Цена
313 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/FDMD85100.jpg
Power56
2.2W
2 N-Channel (Half Bridge)
100V
10.4A
9.9mOhm @ 10.4A, 10V
4V @ 250µA
31nC @ 10V
2230pF @ 50V
Standard
FDMD85100DKR,FDMD85100CT,FDMD85100TR
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
PowerTrench®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-PowerWDFN
EAR99
8541.29.0095
3,000
FDMD85
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1290-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM3/4 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: BUK9D23-40EX
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6, N-Channel 40 V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Подробнее
Артикул: 1N6263
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 15MA DO35, Diode Schottky 60 V 15mA (DC) Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: AUIRGP4066D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 140A 454W TO-247AC, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IKW50N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: MJ3001
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 80V 10A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 10 A - 150 W Chassis Mount TO-3
Подробнее