г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDMS3572 onsemi

Артикул
FDMS3572
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP, N-Channel 80 V 8.8A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
Цена
499 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/FDMS3572.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
80 V
8.8A (Ta), 22A (Tc)
6V, 10V
16.5mOhm @ 8.8A, 10V
4V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2490 pF @ 40 V
-
2.5W (Ta), 78W (Tc)
8-MLP (5x6), Power56
FDMS3572TR,FDMS3572DKR,FDMS3572CT
UltraFET™
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
8-PowerWDFN
EAR99
8541.29.0095
3,000
FDMS35
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PM50RL1A120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 7-PAC L1 50A 1200V, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 50 A Power Module
Подробнее
Артикул: FDP032N08
Бренд: Texas Instruments
Описание: 120A, 75V, 0.0032OHM, N CHANNEL, N-Channel 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJW16212
Бренд: Motorola
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: ZTX751STZ
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 60V 2A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: 1N5257B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 33 V 1W DO-35, Zener Diode 33 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IKY75N120CH3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 150A TO247-4, IGBT - 1200 V 150 A 938 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее